Difuzní rtg rozptyl na polovodičových kvantových tečkách

T. Čechal

Ústav fyziky pevných látek, Masarykova univerzita Brno

Tato práce se zabývá analýzou struktury SiGe kvantových teček připravených metodou LPE na Si(001) substrátu. V nedávné době byly vyvinuty metody umožňující zjištění chemického složení a deformačního pole v těchto kvantových tečkách založené na analýze rtg difrakčního obrazce pořízeného v GID geometrii. Cílem práce je zobecnit tyto metody na případ klasické koplanární geometrie. Jedním z možných přístupů je vytvoření vhodného zjednodušeného strukturního modelu kvantové tečky a následné fitování naměřeného difrakčního obrazce. Vhodnost navrženého strukturního modelu je testována pokusným fitováním difrakčního obrazce získaného "brute-force" simulací a následně je tento strukturní model použit k fitování skutečných experimentálních dat.